在國科會補助下，國立陽明交通大學黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手關鍵廠商、工研院、國研院國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制，使這款高速、低功耗的新型記憶體邁向商用化。未來，此技術將有助於大型語言模型（LLMs）、行動裝置（延長電池續航並提升資料安全）、車用電子與資料中心（提高可靠度、降低能耗）應用。研究成果已刊登於《Nature Electronics》期刊。
國科會表示，記憶體是電腦的「資料倉庫」，負責儲存指令、運算結果及各種運算所需資訊。目前記憶體主要分為兩類：一是速度快但斷電資料會消失的揮發性記憶體（如DRAM、SRAM）；另一種是能長期保存資料但速度較慢的非揮發性記憶體（如Flash）。科學界多年來致力開發新型記憶體，如PCM、STT-MRAM、FeRAM等，但始終難以兼顧「超高速切換」與「長期穩定性」。
此次臺灣研究團隊透過創新的材料膜層設計，成功大幅提升鎢（W）材料的相穩定性，即便在高溫先進製程下，也能保持卓越的自旋軌道力矩效應。研究成果展現臺灣在新世代記憶體技術的創新實力，也象徵我國在前瞻半導體與新型記憶體領域的領先地位，為全球高速運算與低功耗應用開啟全新契機。